学历、职称：教授、博士，广西高等学校千名中青年骨干教师
研究生导师（信息与通信工程）
研究方向及成果：
开发基于高性能、低功耗的TFET和MOSFET半导体器件；发展基于新物理机制抑制关态电流的冷源电极晶体管；基于AI驱动的界面与缺陷工程，增强II-IV-N₂族/GaN双异质结晶体管输运特性；理论与实验结合发展材料缺陷的人工智能算法和缺陷抑制手段。
主持完成国家自然科学基金3项，广西自然科学基金2项，广西高等教育本科教学改革项目1项；参与国家项目1项，广西自然科学基金4项；指导学生比赛获得创新大赛广西赛区高教主赛道铜奖和“三创赛”广西赛区二等奖。
研究生培养：依托广西信息功能材料与智能信息处理重点实验室，每年招收1~2名硕士研究生，需坚持、刻苦、耐得住寂寞的学习品质。
联系方式：fning@nnnu.edu.cn
教育与研究经历：
2021/9 - 2023/2，中国工程物理研究院北京计算科学研究中心，访问学者
2010/9 - 2015/6，湖南大学物理学专业，获理学博士学位（硕博连读）
2006/9 – 2010/7，南宁师范大学物理学专业，获理学学士学位
主持科研项目：
1、国家自然科学基金地区基金项目，62064009，基于狄拉克源极的二维高迁移率InAs量子器件输运及其界面性质的研究，36万，主持；
2、国家自然科学基金青年科学基金项目，61704036，增强型GaSb/Si/InAs异质结量子器件输运及其内电场下拓扑绝缘态的研究，25万，主持；
3、国家自然科学基金应急管理项目，61640405，二维材料/砷化铟异质纳米复合结构的奇异界面态及电荷输运机理的研究，7万，主持；
4、广西自然科学基金面上项目，2020GXNSFAA297219，新型二维InAs狄拉克源极量子器件的基础研究，10万，主持；
5、广西自然科学基金青年科学基金项目，2017GXNSFBA198006，应变增强GaSb/InAs核壳纳米线载流子迁移率的理论研究，10万，主持。
主要学术论文（* 通讯作者）：
(1) Feng Ning, Jing Huang, Jun Kang*. Cation Disorder Enhanced Unintentional Doping in MgSnN2. Physical Review Applied, 2023, 19: 054046.
(2) Feng-Mei Chen, Wu-Gang Li, Yao Su, Xian-Tai Luo, Feng Ning*, Research and Practice on the "Three Phenomena" in the Teaching of University Physics Mechanics Curriculum, Artificial Intelligence, Medical Engineering and Education, 2025.
(3) Feng-Mei Chen, Wu-Gang Li, Lan-Xiang Wei, Zhen-Peng Qin, Feng Ning*, The Influence of Pictures, Animations and Videos in Teaching Courseware on Students’ Listening Comprehension, Lecture Notes on Data Engineering and Communications Technologies, 2023.
(4) Feng Ning*, Shi-Zhang Chenb, Yong Zhang, Gao-Hua Liao, Ping-Ying Tang, Zheng-Liang Li,Li-Ming Tang,* Interfacial charge transfers and interactions drive rectifying and negative differential resistance behaviors in InAs/graphene van der Waals heterostructures. Applied Surface Science 496 (2019) 143629
(5) Feng Ning, Dan Wang,Ye-Xin Feng, Li-Ming Tang*, Yong Zhangad and Ke-Qiu Chen*， Strong interfacial interaction and enhanced optical absorption in graphene/InAs and MoS 2/InAs heterostructures. Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5(36): 9429-9438.
(6) Feng Ning, Li-Ming Tang, Yong Zhang, and Ke-Qiu Chen. Remote p-type doping in GaSb/InAs core-shell nanowires , Scientific Reports, 2015, 5: 10813
(7) Feng Ning, Dan Wang, Li-Ming Tang, Yong Zhang, and Ke-Qiu Chen. The effects of the chemical composition and strain on the electronic properties of GaSb/InAs core-shell nanowires , J. Appl. Phys., 2014, 116: 094308
(8) Feng Ning, Li-Ming Tang, Yong Zhang, and Ke-Qiu Chen. First-principles study of quantum confinement and surface effects on the electronic properties of InAs nanowires, J. Appl. Phys. 2013, 114: 224304
(9) Yong Zhang*, Shi-Zhang Chen*, Zhong-Xiang Xie, Xia Yu, Yuan-Xiang Deng, Feng Ning*, Liang Xu, Surface dangling bonds dependent magnetic properties in Mn-doped GaAs nanowires, Physics Letters A 384 (2020) 126815.
(10) Yong Zhang，Zhong-Xiang Xie*，Xia Yu，Hai-Bin Wang，Yuan-Xiang, Deng，Feng Ning*, First-principles study of size-, surface- and mechanical, strain-dependent electronic properties of wurtzite and zinc-blende InSb nanowires，Physics Letters A, 2016, 380: 2678-2684
