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硕士生导师吴熙

文章来源:物理与电子学院 作者:物理与电子学院 发布时间:2023年09月21日 点击数: 字号:

吴熙,博士,南宁师范大学物理与电子学院教师2018年9月获西安交通大学电子科学与技术工学博士学位主要从事助熔剂法生长GaN晶体的研究工作,经过多年的学习与探索,已对部分复合助熔剂溶液成分和生长温度对晶体结构、晶体形貌和结晶质量进行了深入的研究。并通过复合助熔剂法与液相外延技术结合成功的获得了位错密度在103cm-2附近的高质量GaN晶体。作为项目负责人主持相关的国家级项目1项,省部级科研项目1项,参与相关的国家级科研项目1项和省部级科研项目3项。在晶体生长和晶体等期刊上发表了六篇关于助熔剂法生长GaN晶体的SCI论文。已申请国家发明专利两项,已授权澳大利亚革新专利一项。

项目支持及参与情况

  1. 国家自然科学基金委员会青年项目,62204038,复合助熔剂-重结晶法生长GaN晶体的研究2023/01-至今30万元,在研,主持

     

    2.广东省自然科学基金委员会,粤莞联合基金2019A1515111068,复合助熔剂-重结晶技术生长高结晶质量GaN晶体的研究2020/01-至今10万元,在研,主持

     

    主要学论文

     

  2. Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. Growth Temperature Dependence of Morphology of GaN Single Crystals in the Na-Li-Ca Flux Method[J]. Journal of Electronic Materials, USA.,2017, 47(2):1569-1574.

  3. Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. Fabrication of GaN single crystals at 700°C using Na-Li-Ca mixed flux system [J]. AIP ADVANCES,2018,8(5):055326-1-055326-6.

  4. Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. GaN single crystal grown in the Na-Li-Ca flux solution by LPE technique [J]. J. Cryst. Growth, 521 (2019) 30-33.

  5. Xi Wu, Hongcheng Wang, Dongxiong Ling, Chuanyu Jia, Wei Lü, Ye Liu, Fei Zhou, Zhenrong Li. Synthesis of GaN Crystals by Nitrogen Pressure-Controlled Recrystallization Technique in Na Alloy Melt[J]. Crystals, 2021, 11 (2021) 1058.

  6. H. Hao, X. Wu, Z. Li, S. Fan, Effects of Growth Temperature on Morphology of GaN Crystals by Na Flux Liquid Phase Epitaxial Method, J. Electron. Mater., 48 (2019) 3570-3578.

  7. H. Hao, T. Yang, Y. Yin, C. Yang, X. Wu, S. Fan, Z. Li, The morphologies of GaN crystals grown on Ga- and N-face of HVPE seeds by the Na flux liquid phase epitaxial method, Jpn. J. Appl. Phys., 58 (2019) SC1048.

  8. 周明斌,李振荣,李静思,吴熙,范世马岂,徐卓.Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展[J]人工晶体学报.2013, 42(10):1983-1991. 

 

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