吴熙，博士，南宁师范大学电子系教师。2018年9月获西安交通大学电子科学与技术工学博士学位。主要从事助熔剂法生长GaN晶体的研究工作，经过多年的学习与探索，已对部分复合助熔剂溶液成分和生长温度对晶体结构、晶体形貌和结晶质量进行了深入的研究。并通过复合助熔剂法与液相外延技术结合成功的获得了位错密度在103cm-2附近的高质量GaN晶体。作为项目负责人主持相关的国家级项目1项，省部级科研项目1项，参与相关的国家级科研项目1项和省部级科研项目3项。在晶体生长和晶体等期刊上发表了六篇关于助熔剂法生长GaN晶体的SCI论文。已申请国家发明专利两项，已授权澳大利亚革新专利一项。
项目支持及参与情况：
1. 国家自然科学基金委员会，青年项目，62204038，复合助熔剂-重结晶法生长GaN晶体的研究，2023/01-至今，30万元，在研，主持
2.广东省自然科学基金委员会，粤莞联合基金，2019A1515111068，复合助熔剂-重结晶技术生长高结晶质量GaN晶体的研究，2020/01-至今，10万元，在研，主持
主要学术论文
1. Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. Growth Temperature Dependence of Morphology of GaN Single Crystals in the Na-Li-Ca Flux Method[J]. Journal of Electronic Materials, USA.,2017, 47(2):1569-1574.
2. Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. Fabrication of GaN single crystals at 700°C using Na-Li-Ca mixed flux system [J]. AIP ADVANCES,2018,8(5):055326-1-055326-6.
3. Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. GaN single crystal grown in the Na-Li-Ca flux solution by LPE technique [J]. J. Cryst. Growth, 521 (2019) 30-33.
4. Xi Wu, Hongcheng Wang, Dongxiong Ling, Chuanyu Jia, Wei Lü, Ye Liu, Fei Zhou, Zhenrong Li. Synthesis of GaN Crystals by Nitrogen Pressure-Controlled Recrystallization Technique in Na Alloy Melt[J]. Crystals, 2021, 11 (2021) 1058.
5. H. Hao, X. Wu, Z. Li, S. Fan, Effects of Growth Temperature on Morphology of GaN Crystals by Na Flux Liquid Phase Epitaxial Method, J. Electron. Mater., 48 (2019) 3570-3578.
6. H. Hao, T. Yang, Y. Yin, C. Yang, X. Wu, S. Fan, Z. Li, The morphologies of GaN crystals grown on Ga- and N-face of HVPE seeds by the Na flux liquid phase epitaxial method, Jpn. J. Appl. Phys., 58 (2019) SC1048.
7. 周明斌，李振荣，李静思，吴熙，范世马岂，徐卓.Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展[J]人工晶体学报.2013, 42(10):1983-1991.
